القاهرة-الشرق
كشف تقرير جديد عن استعداد شركة سامسونج لطرح هاتفها جالكسي S25 مطلع العام 2025 مع تزويده بتقنية جديدة للذاكرة العشوائية ستجعل منه منافساً قوياً أمام هواتف أيفون 16 برو، المنتظر وصولها خلال الربع الأخير من العام الجاري.
فبحسب تقرير جديد نشره موقع AjuNews، تعمل شركتا سامسونج إلكترونيكس وSK Hynix على تطوير الجيل الجديد من بطاقات الذاكرة العشوائية LPDDR6 DRAM لتتمكنا من تحقيق الريادة في سوق الذكاء الاصطناعي، وذلك من خلال تزويد الشريحة الجديدة بمعدل نقل فائق السرعة للبيانات، مما ينجز مهام الذكاء الاصطناعي عبر معالجة البيانات وتحليلها.
وأشار التقرير إلى أن هيئة JEDEC الدولية، المتخصصة في وضع المعايير القياسية لأشباه الموصلات، تستعد للكشف عن مواصفات الجيل الجديد خلال النصف الثاني من العام 2024، ومن المرجح أن يكون ذلك في سبتمبر.
جيل فريد من نوعه
ويركز جيل الذاكرة العشوائية القادم بشكل رئيسي على تقديم تطور في مستوى سعة نقل البيانات، حيث أن جيل LPDDR5 عند إطلاقه في 2019 كان يقدم معدل سرعة 6.4 جيجابت في الثانية، بينما الجيل التالي LPDDR5X جاء في في 2022 بمعدل نقل بيانات 8.5 جيجابت في الثانية الواحدة، لذا فالجيل الأحدث سيرفع سقف التوقعات بمستوى أسرع في النقل.
ولكن تركيز شركتيّ سامسونج وSK Hynix الكوريتينن، بحسب التقرير، ينصب مع الجيل القادم على خفض تكاليف الإنتاج بشكل كبير.
سامسونج ستحاول من خلال الجيل الجديد من الذاكرة العشوائية تقديم مستوى فائق من نقل البيانات لإتاحة تشغيل مزايا الذكاء الاصطناعي بشكل سريع، عبر المعالجة المحلية للبيانات على الهواتف والأجهزة المحمولة الذكية.
بحسب التقرير، سيأتي الهاتف الجديد بصحبة معالج كوالكوم المنتظر Snapdragon 8 Gen 4، والذي من المتوقع قدومه بأنوية Oryon CPU من تصميم شركة نيوفيا، المملوكة لكوالكوم، والتي ظهرت لأول مرة في معالج الشركة Snapdragon X Elite الموجهة للحواسيب الشخصية العاملة بنظام تشغيل ويندوز، والتي ستصل لأول مرة خلال العام الجاري، ومن المتوقع أن يفوق أداؤها معالج أبل القادم A18 pro.
وكانت شركة سامسونج قد كشفت مطلع مارس الجاري عن جيل جديد من بطاقات التخزين للهواتف الذكية، تستهدف تشغيل نماذج الذكاء الاصطناعي على الهواتف دون الحاجة للاتصال بالإنترنت من اجل الوصول إلى خوادم مطوري تلك النماذج.
وتتيح البطاقات الجديدة سعتين للتخزين، الأولى 256 جيجابايت وهي من نوع SD Express بحجم ميكرو، ويطرح بنهاية العام 2024، والسعة الثانية 1 تيرابايت من نوع UHS-1 microSD، ويطرح في الربع الثالث من العام 2024.
وتستطيع البطاقة الأولى نقل بيانات تصل إلى 800 ميجابايت في الثانية، وهو 1.4 مرة أسرع من أقراص التخزين من نوع SSD SATA، والتي تصل سرعتها في نقل البيانات إلى 560 ميجابايت في الثانية، كما يزيد هذا المعدل، 4 أضعاف بطاقات تخزين البيانات التقليدية UHS-1.
وزودت سامسونج البطاقات بتقنية حماية حرارية ديناميكية تحافظ على درجة الحرارة الداخلية للبطاقات، ما يجعل نقل البيانات عملية آمنة ومستقرة من حيث سرعتها، وبالتالي تحافظ على البيانات من التلف في درجات الحرارة القصوى.
تصنيفات
